碳化硅上市公司龙头企业碳化硅上市公司名单
碳化硅上市公司龙头企业，在国内率先实现了碳化硅功率器件产业化，成为全球最大的碳化硅功率器件生产基地。目前，公司已形成年产10万片高功率半导体功率器件和1万台功率变换器的生产能力，产品广泛应用于汽车电子、消费电子、工业控制、轨道交通、新能源等领域。2020年，公司实现营业收入7.2亿，净利润1.1亿元。截至目前，公司拥有员工400余人，其中研发人员占比超过50%。
一：第三代半导体碳化硅龙头企业
排名前三的有：三安光电600703、闻泰科技600745、扬杰科技300373
一、2021年第三代半导体股票的龙头股有
1、三安光电600703
第三代半导体龙头股。2020年实现营业收入84.54亿元，同比增长13.32%；归属于上市公司股东的净利润10.16亿元，同比增长-21.73%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润2.93亿元，同比增长-57.49%。2020年半年报披露，公司在长沙设立子公司湖南三安从事碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，项目正处于建设阶段。
2、闻泰科技600745
第三代半导体龙头股。2020年实现营业收入517.1亿元，同比增长24.36%；归属于上市公司股东的净利润24.15亿元，同比增长92.68%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润21.13亿元，同比增长91.13%。公司将加大在第三代半导体领域投资，大力发展氮化镓和碳化硅技术。
3、扬杰科技300373
第三代半导体龙头股。2020年实现营业收入26.17亿元，同比增长30.39%；归属于上市公司股东的净利润3.78亿元，同比增长75.71%。公司是国内领先的功率半导体IDM厂商，具备完善的芯片设计、晶圆制造、封装检测能力。国内功率二极管龙头，并逐步往MOSFET、IGBT、第三代半导体功率器件等高端产品延伸。应用领域涵盖电源、家电、照明、安防、仪表、通信、工控及汽车电子等多个领域。公司产品在光伏领域应用占比较高，营收约占15%。第三代半导体概念股其他的还有：天通股份、高测股份、新洁能、国星光电、麦格米特、力合科创、ST丹邦、金博股份、英唐智控、云意电气、派瑞股份等。
拓展资料：
一、第三代半导体概念股其他的还有：
1、 甘化科工
公司形成以电源系统、智能弹药核心零部件为中心的两大军工业务板块；同时参股多家企业涉及电源、制导、半导体板块等。
2、 海特高新
海威华芯6_第二代第三代半导体集成电路芯片生产线项目砷化镓、氮化镓半导体芯片生产线竣工环境保护自主验收工作已完成。
3、 苏州固锝
2014年，公司完成了第一代三轴加速度传感器的升级换代，同时在研发上完成了第三代三轴加速度传感器的设计；2015年，公司将充分运用子公司加速度传感器在手机、平板及细分类产品市场都获得良性增长的优势以及在国内行车记录仪的传感器应用上的主导地位。
二：碳化硅上市公司龙头企业排名
碳化硅上市龙头公司有：
三安光电：碳化硅龙头股。2020年半年报披露公司在长沙设立子公司湖南三安从事碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，项目正处于建设阶段。
楚江新材：碳化硅龙头股。重点面向各类碳基复合材料、碳纤维复合材料、第三代半导体碳化硅等新材料的研发和制造，为客户提供全方位的热处理技术解决方案。公司两家子公司天鸟高新和顶立科技入选工信部专精特新“小巨人”企业。
露笑科技：碳化硅龙头股。碳化硅是5G领域高性能、高频HEMT器件的关键材料，公司掌握了制造碳化硅长晶炉的核心技术。公告显示，露笑科技及（或）其控股企业将为国宏中宇主导的碳化硅产业化项目定制约200台碳化硅长晶炉，设备总采购金额约3亿元。
大洋电机：公司自主研发的燃料电池关键零部件碳化硅DC/DC已实现量产。
宇环数控：将前瞻性地对碳化硅等超硬材料磨削抛光技术进行研发布局。
奥海科技：公司的服务器电源有使用碳化硅材料。
三：碳化硅上市公司龙头企业有哪些
随着下游行业快速发展，以碳化硅为代表的第三代半导体市场迎来高速发展。
根据Yole测算，仅碳化硅器件中的功率器件的市场规模将从2021年的10.90亿美金增长至2027年的62.97亿美金，复合年增长率约34%。
碳化硅器件广泛用于新能源汽车、光伏、轨道交通等领域，未来市场增速能够得到保证。
当前国内市场有多家企业布局碳化硅产业，未来市场竞争格局将持续深化，国产替代空间广阔。
第三代半导体材料概览半导体材料是 *** 半导体器件和集成电路的电子材料。
主要分为以下三代：
1）第一代元素半导体材料：硅（Si）、锗（Gw）；
2）第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；
3）第三代宽禁带半导体材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。
第三代半导体材料是指带隙宽度达到2.0-6.0eV的宽禁带半导体材料，是制造高压大功率电力电子器件的突破性材料。其性能优势决定了半导体器件能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景。
相比硅基，碳化硅材料在热导率、开关频率、电子迁移率和击穿场强均具备优势，因此碳化硅材料具备更高效率和功率密度。
碳化硅产业链概览资料显示，同第一代、第二代半导体产业链类似，衬底晶片/外延片制造、芯片设计、晶圆制造代工、封测、芯片/器件构成了第三代半导体的产业链条。
SiC从材料到器件的产业链梳理：
资料
衬底碳化硅衬底制备是产业链中技术难度最高的环节。
碳化硅是技术密集型行业，对研发人员操作经验、资金投入有较高要求。
目前碳化硅衬底市场由美日欧主导，美国全球独大。
国际巨头半导体公司研发早于国内公司数十年，提前完成了技术积累工作，如美国拥有CREE、II-VI、Dow Corning、Transphorm等世界顶尖企业，占有全球碳化硅70%-80%产量。
根据Yole数据，2021年Wolfspeed（CREE全资子公司）、II-VI、Rohm（收购SiCrySTal）三家占据全球89%市场份额。
全球SiC市场6英寸量产线正走向成熟，领先公司已进军8英寸市场。
目前包括罗姆、II-VI、Wolfspeed已具备成熟6英寸SiC衬底产线，正在向8英寸市场进行开拓，例如，Wolfspeed的第一条8英寸SiC产线已在2022年Q2开始生产，标志着全球第一条8英寸SiC产线的投产。
Wolfspeed的不同尺寸SiC衬底研发进度：
国内商业化SiC衬底目前以4英寸为主，逐步向6英寸过渡，烁科晶体、同光晶体、南砂晶圆等几大衬底生产商均在扩张6英寸衬底产能。
截至2022年11月，晶盛机电、天岳先进、天科合达分别宣布掌握8英寸碳化硅衬底制备技术。
其中，天岳先进作为国内半绝缘型碳化硅衬底龙头企业，晶棒环节良率近两年平均水平约为50%，衬底环节良率近两年在70%-75%区间。
据感知芯视界不完全统计，截至2021年底，国内至少已有12条6英寸SiC晶圆制造产线（包括中试线），另有约15条SiC生产线正在建设。
资料
另外，国内车厂眼光投向本土SiC企业。目前在OBC和终端应用领域，国内车厂已经采用国内厂商主流SiC方案，未来国产厂商有望在主驱逆变器上获得更好的发展。
国内车厂进入SiC领域：
资料
外延外延是按照器件设计要求生长的主要功能层，很大程度上决定了芯片和器件的性能，成本占比23%。
现阶段SiC薄膜外延的 *** 主要包括：化学气相淀积（CVD）、分子束外延（MBE）、液相外延法（LPE）、脉冲激光淀积和升华法（PLD）等。
外延设备被海外企业基本垄断，各厂商设备存在差异，国内企业具备替代空间。
外延环节技术壁垒相对较高，对第三方厂商成熟设备具有较强依赖性。目前外延设备主要由意大利LPE公司、德国Aixtron公司、日本Nuflare公司垄断，占据全球87%左右市场空间。
目前国内相关外延厂商东莞天域和厦门瀚天天成，两者均已实现产业化，可供应4-6 英寸外延片。相关设备厂商包括中电55所、普兴电子/中电13所、三安集成和希科半导体（江苏苏州），国产外延炉厂家多以单腔、水平气流、手动设备为主，月产能约为300~500片，还需验证设备工艺以及外延工艺。
器件制造器件设计中难点较多，国内拥有众多设计厂商。
SiCMOS仍与海外厂商存在差距，相关制造平台仍在搭建中。
目前ST、英飞凌、Rohm等600-1700V SiCMOS已实现量产并和多制造业达成签单出货，而国内目前SiCMOS设计已基本完成，多家设计厂商正与晶圆厂流片阶段，后期客户验证仍需部分时间，因此距离大规模商业化仍有较长时间。
国内相关SiC设计厂商：
资料
专利壁垒为沟槽MOSFET突破难点。
目前选择平面MOSFET结构厂商为：Wolfspeed、意法半导体、Microsemi，国内厂商包括斯达半导、新洁能、APS、瞻芯、瀚芯等Fabless厂商。
能够量产沟槽型SiCMOSFET的企业为罗姆的双沟槽节、英飞凌的半包沟槽和日本住友的接地双掩埋结构。
目前国内市场，时代电气子公司时代半导体宣布投资4.62亿元扩产6英寸沟槽型SiC芯片。
国内布局碳化硅产业链的主要企业还包括三安光电、中车时代电气、东微半扬杰科技、新洁能、双良节能等。
碳中和趋势下，碳化硅有望在新能源汽车、光伏、风电、工控等领域的持续渗透。
Wolfspeed预计2023年碳化硅材料市场达2000万美元，2025年进一步增长至2700万美元。工艺节点的转变将带来成本优化，进一步促进市场需求扩增。
全球碳化硅市场处于高速成长阶段，得益于新能源车、光伏逆变器本土品牌商市场份额提升，国内企业已获入场机会，且有望通过技术快速迭代和产能扩张受益，国产替代空间广阔。
【